MOSFET-ek onsemi a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (110/116 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C471NL Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 3x3 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...

onsemi

NVTFS5C471NLWFTAG

kezdő: HUF 269 877,00*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTD3055-150T4G

kezdő: HUF 275 256,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 89 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...

onsemi

NTHL022N120M3S

kezdő: HUF 281 965,1001*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 74 A, 80 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 74 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forráse...

onsemi

NTMFS6H836NT1G

kezdő: HUF 287 151,51*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

RFD14N05SM9A

kezdő: HUF 287 355,50*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 80 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kialakítás érdekében Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért NVMFSW6D1N08H - N...

onsemi

NVMFS6D1N08HT1G

kezdő: HUF 293 225,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 76 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

FDP8D5N10C

kezdő: HUF 294 291,20*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 54 A, 100 V, 5-tüskés, DFN5 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DFN5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrá...

onsemi

NTMFS015N10MCLT1G

kezdő: HUF 303 993,51*
1 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 57,8 A, 100 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS010N10MCLTAG

kezdő: HUF 313 297,005*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

NDT2955

kezdő: HUF 322 955,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 40 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C430NLT1G

kezdő: HUF 325 954,50*
1 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS025N06CLTWG

kezdő: HUF 327 156,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 9,2 A, 100 V, 8-tüskés, WDFN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

onsemi

NTTFS012N10MDTAG

kezdő: HUF 328 941,51*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 191 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8FL Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 191 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NTMFS4833NT1G

kezdő: HUF 338 876,505*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 185 A, 40 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5C430N (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C430NT1G

kezdő: HUF 348 837,51*
1 500 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 .. 116 előre

MOSFET-ek (1 740 cikk)