MOSFET-ek onsemi a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (114/116 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220F SUPERFET III (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SUPERFET III Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

FCPF250N65S3L1-F154

kezdő: HUF 863 188,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220F Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

onsemi

FDPF4D5N10C

kezdő: HUF 884 278,00*
1 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 235 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 235 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NVMJS1D3N04CTWG

kezdő: HUF 913 836,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 252 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Gépjármű MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben. MOSFET és PPAP rendszerek, amelyek alkalmasak olyan autóipari alkalmazások...

onsemi

NVMYS1D3N04CTWG

kezdő: HUF 925 438,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 60 V, 8-tüskés, MLPAK33 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC86520L

kezdő: HUF 1 028 432,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 124 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat)

Az N-csatornás MV MOSFET Advanced PowerTecch® eljárás, mely magában foglalja az árnyékolt kapura épülő technológiát is. Ez a folyamat úgy lett optimalizálva, hogy az állapot állandóan minimális leg...

onsemi

FDMS86181

kezdő: HUF 1 041 315,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86300

kezdő: HUF 1 049 786,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 464 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS0D5N Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 464 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = NTMFS0D5N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NTMFS0D5N03CT1G

kezdő: HUF 1 058 680,50*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

FDMS2572

kezdő: HUF 1 074 636,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86200

kezdő: HUF 1 083 893,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86104

kezdő: HUF 1 147 064,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

NDT456P

kezdő: HUF 1 148 764,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 200 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDMS2672

kezdő: HUF 1 245 780,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC Power SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SiC Power Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...

onsemi

NTH4L060N090SC1

kezdő: HUF 1 254 852,2025*
450 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az N-csatornás MOSFET A Félvezető Advanced Power Trench® eljárásában található. A szilícium és a Dual Cool™ technológia fejlesztései kombináltak a legalacsonyabb RDS(on)-t kínáló technológiákkal...

onsemi

NTMFSC0D9N04CL

kezdő: HUF 1 285 965,00*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 111 112 113 114 115 116 előre

MOSFET-ek (1 740 cikk)