MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (128/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET H7 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STP110N10F7

kezdő: HUF 614,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STP110N10F7

kezdő: HUF 3 317,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STF45N10F7

kezdő: HUF 14 808,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STF45N10F7

kezdő: HUF 1 806,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH110N10P

kezdő: HUF 1 614,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH110N10P

kezdő: HUF 1 655,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW120NF10

kezdő: HUF 488,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW120NF10

kezdő: HUF 2 430,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat)

The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...

onsemi

NTMFS7D8N10GTWG

kezdő: HUF 1 652 326,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PQFN 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyel...

onsemi

NTMFS7D8N10GTWG

kezdő: HUF 777,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STL110N10F7

kezdő: HUF 4 935,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STL110N10F7

kezdő: HUF 1 336 722,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 100 V (2 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacson...

Vishay

SIR5102DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 312 294,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 100 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = N-Channel 100 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...

Vishay

SIR5102DP-T1-RE3

kezdő: HUF 684,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, VSONP NexFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Texas Instruments

CSD19531Q5AT

kezdő: HUF 346,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)