MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (275/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7454DDP-T1-GE3

kezdő: HUF 225,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7454DDP-T1-GE3

kezdő: HUF 651 072,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ 3 (1 ajánlat)

Ez a Infineon OptiMOS 3 MOSFET ideális nagyfrekvenciás kapcsoláshoz és szinkron egyenirányító rendszerhez. A JEDEC szerint a célalkalmazáshoz megfelelő minősítéssel rendelkezikHalogénmentes az IEC6...

Infineon

IPD530N15N3GATMA1

kezdő: HUF 1 131,655*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...

Infineon

IPD530N15N3GATMA1

kezdő: HUF 315,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDD2582

kezdő: HUF 169,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDD2582

kezdő: HUF 410,40*
2 db-ként

Infineon BSC520N15NS3 G tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC520N15NS3GATMA1

kezdő: HUF 221,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 150 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

BSC520N15NS3GATMA1

kezdő: HUF 174,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 150 V, 8-tüskés, TSDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

BSZ520N15NS3 G

kezdő: HUF 1 041 548,00*
5 000 db-ként

Infineon BSZ520N15NS3 G tranzisztor 150 V (2 ajánlat)

Infineon

BSZ520N15NS3GATMA1

kezdő: HUF 166,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2030 DMN2024UFU (2 ajánlat)

A DiodesZetex DMN2024UFU sorozat két N-csatornás MOSFET. Az akkumulátorkezelő alkalmazásban, energiagazdálkodási funkciókban és DC-DC átalakítókon használják.Alacsony kapu küszöbfeszültség Alacsony...

Diodes

DMN2024UFU-7

kezdő: HUF 64,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2030 DMN2024UFU (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = U-DFN2030 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő f...

Diodes

DMN2024UFU-7

kezdő: HUF 105,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nye...

Diodes

DMP34M4SPS-13

kezdő: HUF 148,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az RDS (BE) funkció minimális legyen, és ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson. Ez az eszköz ideális a notebook akkumulátor energi...

Diodes

DMP34M4SPS-13

kezdő: HUF 2 583,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET sorozat 30V maximális leeresztési forrás feszültség EGY SO-8 csomag. A hálózati és számítástechnikai rendszerek alkalmazásaihoz nagy frekvenciájú, terhelés ala...

Infineon

IRF7831TRPBF

kezdő: HUF 830,39*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)