MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (288/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 600 V, 8-tüskés, HSOF-8 CoolMOS™ G7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 23 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = CoolMOS™ G7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPT60R102G7XTMA1

kezdő: HUF 1 194,00*
db-ként

Infineon IPT60R150G7 (1 ajánlat)

Infineon

IPT60R150G7XTMA1

kezdő: HUF 588,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 650 V, 8-tüskés, HSOF-8 CoolMOS™ C7 (1 ajánlat)

A Infineon CoolMOS C7 Gold szupercsomópont MOSFET sorozat (G7) egyesíti a továbbfejlesztett 600V CoolMOS™ C7 Gold technológia előnyeit, 4 tűs Kelvin-forrás képesség és a TO-ólommentes (FIZETŐS) cso...

Infineon

IPT60R150G7XTMA1

kezdő: HUF 787,00*
db-ként

Infineon BSC340N08NS3 G tranzisztor 20 V (2 ajánlat)

Infineon

BSC340N08NS3GATMA1

kezdő: HUF 106,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

BSC340N08NS3GATMA1

kezdő: HUF 71,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...

Wolfspeed

C3M0120090D

kezdő: HUF 2 848,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Wolfspeed

C3M0120090D

kezdő: HUF 2 742,00*
db-ként

Infineon IPP60R160P6 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP60R160P6XKSA1

kezdő: HUF 471,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23,8 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ P6 Si (1 ajánlat)

A Infineon CoolMOS sorozat egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szuper csatlakozás (SJ) elvének megfelelően terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő...

Infineon

IPP60R160P6XKSA1

kezdő: HUF 560,00*
db-ként

Infineon IPA60R160P6 tranzisztor 650 V (2 ajánlat)

Infineon

IPA60R160P6XKSA1

kezdő: HUF 617,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23,8 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P6 Si (1 ajánlat)

Infineon 600V CoolMOS™ N csatornás teljesítmény MOSFET. A CoolMOS™ P6 szuperjunkciós MOSFET családot úgy tervezték, hogy nagyobb rendszerhatékonyságot és egyszerű kialakítást lehessen lehetővé tenn...

Infineon

IPA60R160P6XKSA1

kezdő: HUF 790,00*
db-ként

Infineon IPB60R160P6 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB60R160P6ATMA1

kezdő: HUF 1 352,90*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23,8 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ P6 (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™E6/P6 sorozatú Power MOSFET. Az Infineon ;sup>™ ;/sup> E6 és P6 sorozatú MOSFET Ezek a rendkívül hatékony eszközök több alkalmazásban is használhatók, például teljesítménytényező-k...

Infineon

IPB60R160P6ATMA1

kezdő: HUF 594 473,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 230 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 230 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek szá...

Infineon

ISC022N10NM6ATMA1

kezdő: HUF 3 090 431,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 230 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat)

Infineon

ISC022N10NM6ATMA1

kezdő: HUF 662,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)