Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHG105N60EF-GE3
kezdő: HUF 807,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...
ROHM Semiconductor
R6077VNZC17
kezdő: HUF 1 878,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...
ROHM Semiconductor
R6077VNZC17
kezdő: HUF 2 449,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPL60R065C7AUMA1
kezdő: HUF 1 404,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 600V CoolMOS™ C7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET sorozat a CoolMOS™ CP-hez képest ∼50%-kal csökkenti a kikapcsolási veszteségeket (e oss), kiemelkedő teljesítményt nyújtva a PFC, TTF és más...
Infineon
IPL60R065C7AUMA1
kezdő: HUF 1 365,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPT60R080G7XTMA1
kezdő: HUF 1 212,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, HSOF-8 CoolMOS™ G7 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = HSOF-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
Infineon
IPT60R080G7XTMA1
kezdő: HUF 1 553,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIHK075N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 1 137,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIHK075N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 1 586,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB EF (2 ajánlat) 
A Vishay SiHP105N60EF-GE3 egy EF sorozatú teljesítmény MOSFET gyors testdiódával.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetés...
Vishay
SiHP105N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 151,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
Vishay
SiHP105N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 280,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = ThinPAK 8 x 8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek száma...
Infineon
IPL65R095CFD7AUMA1
kezdő: HUF 973,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = ThinPAK 8 x 8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek száma...
Infineon
IPL65R095CFD7AUMA1
kezdő: HUF 1 631,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellená...
ROHM Semiconductor
SCT3080AW7TL
kezdő: HUF 2 873,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...
ROHM Semiconductor
SCT3080AW7TL
kezdő: HUF 3 009,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   321   322   323   324   325   326   327   328   329   330   331   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.