MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (514/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 111.9 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat)

P-csatornás 20 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET Vezető szerep az RDS(on) kompakt kialakításban és a hőszabályozásban továbbfejlesztett csomagban

Vishay

SiSS61DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 544,90*
10 db-ként

Infineon IPW60R070P6 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPW60R070P6XKSA1

kezdő: HUF 1 545,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STB37N60 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = STB37N60 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

ST Microelectronics

STB37N60DM2AG

kezdő: HUF 1 545,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.5 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP3NK80Z

kezdő: HUF 1 547,60*
5 db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 105 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 105 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPB083N15N5LFATMA1

kezdő: HUF 1 548,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 710 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STB45N65M5

kezdő: HUF 1 548,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP28NM50N

kezdő: HUF 1 549,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ Egyszeres (1 ajánlat)

A Infineon BSC050N04LS G OptiMOS 40V tökéletes választás a szinkron egyenirányítás Switched Mode tápegységekben (SMPS), például szerverekben és asztali számítógépeken. Ezen kívül ezek az eszközök i...

Infineon

BSC050N04LSGATMA1

kezdő: HUF 1 549,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH16N50P

kezdő: HUF 1 550,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 500 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK88 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 500 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipe...

Nexperia

BUK7S0R5-40HJ

kezdő: HUF 1 550,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 115 A, 40 V, 7-tüskés, PG HSOF-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 115 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PG HSOF-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma ...

Infineon

BTN9990LVAUMA1

kezdő: HUF 1 550,00*
db-ként

Infineon IRF250P225 tranzisztor 100 V (2 ajánlat)

Infineon

IRF250P225

kezdő: HUF 1 551,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP3NK90Z

kezdő: HUF 1 551,60*
5 db-ként

MOSFET + Dióda, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...

Vishay

SIHK055N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 1 552,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 260 A, 100 V, 16-tüskés, PG HDSOP-16 (TOLT) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

A Infineon IAUS260N10S5N019T egy 100 m-es, csúcshűtésű, 1.9 V-os MOSFET, amely az Infineon vezető OptiMOS -5 technológiáját alkalmazó TOLT tokozásban található. A készüléket 48 V-os alkalmazásokhoz...

Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1

kezdő: HUF 1 552,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)