Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFR4510TRPBF
kezdő: HUF 264,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFR4510TRPBF
kezdő: HUF 4 108,60*
10 db-ként
Infineon
IRLU3110ZPBF
kezdő: HUF 339,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRLU3110ZPBF
kezdő: HUF 35 153,00025*
75 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 63 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
Wolfspeed
C3M0032120K
kezdő: HUF 11 745,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
1200 V VBR (minimum) a teljes működési hőmérsékleti tartományban [-40 ˚C - 175 ˚C] +15 V bálakamra-ajtó hajtás feszültség Kis impedanciájú csomag Kelvin forrástűvel >8 mm átfolyás/rés a leeresztő é...
Wolfspeed
C3M0032120K
kezdő: HUF 12 618,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 30 V, 8-tüskés, TDSON (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 63 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...
Infineon
ISC045N03L5SATMA1
kezdő: HUF 62,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 63 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chi...
Infineon
ISC058N04NM5ATMA1
kezdő: HUF 88,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 63 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chi...
Infineon
ISC058N04NM5ATMA1
kezdő: HUF 199,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN80N50Q3
kezdő: HUF 15 181,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN80N50Q3
kezdő: HUF 17 205,00*
db-ként
Infineon
BSZ068N06NSATMA1
kezdő: HUF 85,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 60 V, 8-tüskés, TSDSON-8 FL OptiMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 63 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...
Infineon
BSZ068N06NSATMA1
kezdő: HUF 265,00*
db-ként
Infineon
IPW60R031CFD7XKSA1
kezdő: HUF 77 596,3002*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ CFD7 (1 ajánlat) 
A Infineon 600V COOL MOS CFD7 beépített gyors testdiódával rendelkezik, és csökkentett kaputöltéssel (QG), jobb kikapcsolási viselkedéssel és akár 69%-kal alacsonyabb fordított visszanyerési töltés...
Infineon
IPW60R031CFD7XKSA1
kezdő: HUF 2 921,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.