MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (55/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 5,5 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat)

Az új MDmesh™ M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjár...

ST Microelectronics

STL10N60M6

kezdő: HUF 2 242,30*
5 db-ként

Infineon BSC220N20NSFD tranzisztor 200 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC220N20NSFDATMA1

kezdő: HUF 3 728 776,00*
5 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 52 A, 200 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek szám...

Infineon

BSC220N20NSFDATMA1

kezdő: HUF 1 310,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 53 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés fejez össze. A kapott termék rendkí...

ST Microelectronics

STB45N30M5

kezdő: HUF 1 299 711,00*
1 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 53 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 40 mΩ Csatorna mó...

ST Microelectronics

STB45N30M5

kezdő: HUF 3 533,60*
2 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 58 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC (2 ajánlat)

A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 29 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. Szünetmentes tápban, Boost inverterben, ipari motormeghajtóként és fotovoltaikus töltőben használható.40...

onsemi

NTH4L040N120SC1

kezdő: HUF 4 468,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 58 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 58 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = NTH Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

onsemi

NTH4L040N120SC1

kezdő: HUF 4 928,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 58 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NVH SiC (1 ajánlat)

A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 58 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. A fedélzeti töltőben, DC- vagy DC-átalakító alkalmazásokban használható.AEC Q101 minősített Gyártási alk...

onsemi

NVH4L040N120SC1

kezdő: HUF 4 878,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 58 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NVH SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 58 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = NVH Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

onsemi

NVH4L040N120SC1

kezdő: HUF 4 892,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 NVH SiC (1 ajánlat)

A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 60 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. A fedélzeti töltőben, DC- vagy DC-átalakító alkalmazásokban használható.AEC Q101 minősített 100%-ban UIL...

onsemi

NVHL040N120SC1

kezdő: HUF 4 697,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 NVH SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = NVH Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

onsemi

NVHL040N120SC1

kezdő: HUF 4 711,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC (2 ajánlat)

A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 60 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. Szünetmentes tápban, DC/DC átalakítóban, feltöltő inverterben használható.40mO engedje le a vizet a forr...

onsemi

NTHL040N120SC1

kezdő: HUF 3 881,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...

onsemi

NTHL040N120SC1

kezdő: HUF 4 803,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB SiC (1 ajánlat)

A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 60 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. Szünetmentes tápban, egyenáramú vagy DC konverterben, Boost inverterben használható.40mO engedje le a vi...

onsemi

NTBG040N120SC1

kezdő: HUF 3 935,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = NTB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

NTBG040N120SC1

kezdő: HUF 4 359,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)