Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 2 elem/chip, 101 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD SiSF06DN (2 ajánlat) 
A Vishay Common Drain kétcsatornás, N-csatornás 30 V (S1-S2) MOSFET integrált, közös csatornás n-csatornás MOSFET-EK kompakt és termikusan továbbfejlesztett csomagban.Nagyon alacsony forrás-forrás ...
Vishay
SISF06DN-T1-GE3
kezdő: HUF 158,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 101 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD SiSF06DN (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 101 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = SiSF06DN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SISF06DN-T1-GE3
kezdő: HUF 135,00*
db-ként
Infineon IRFHM9331 tranzisztor 55 V (3 ajánlat)
Infineon
IRFHM9331TRPBF
kezdő: HUF 87,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekményes...
Infineon
IRFHM9331TRPBF
kezdő: HUF 76,00*
db-ként
Infineon IRFR9024N tranzisztor 30 V (2 ajánlat)
Infineon
IRFR9024NTRLPBF
kezdő: HUF 121,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, TO-252AA HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = TO-252AA Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növ...
Infineon
IRFR9024NTRLPBF
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 11,4 A, 60 V, 8-tüskés, V-DFN3030 (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMT6018LDR-13
kezdő: HUF 136,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 11,4 A, 60 V, 8-tüskés, V-DFN3030 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = V-DFN3030 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...
Diodes
DMT6018LDR-13
kezdő: HUF 2 247,60*
10 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 113 A, 45 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 113 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiR450DP-T1-RE3
kezdő: HUF 211,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 113 A, 45 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 113 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiR450DP-T1-RE3
kezdő: HUF 372,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 115 A, 40 V, 7-tüskés, PG HSOF-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 115 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PG HSOF-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma ...
Infineon
BTN9990LVAUMA1
kezdő: HUF 953,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 115 A, 40 V, 7-tüskés, PG HSOF-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 115 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PG HSOF-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma ...
Infineon
BTN9990LVAUMA1
kezdő: HUF 1 552,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat) 
Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
2N7002DW-7-F
kezdő: HUF 48 248,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
2N7002DW
kezdő: HUF 97 699,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat) 
Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
2N7002DW-7-F
kezdő: HUF 15,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   641   642   643   644   645   646   647   648   649   650   651   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.