MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (718/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SIHB120N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 2 136,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Vishay

SIHB120N60E-T5-GE3

kezdő: HUF 865,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SIHB120N60E-T5-GE3

kezdő: HUF 2 137,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB125N60EF (2 ajánlat)

A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...

Vishay

SIHB125N60EF-GE3

kezdő: HUF 726,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB125N60EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB125N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Vishay

SIHB125N60EF-GE3

kezdő: HUF 603,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 600 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 22 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIHB150N60E-GE3

kezdő: HUF 49 867,40*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 600 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIHB150N60E-GE3

kezdő: HUF 1 609,00*
db-ként

MOSFET, 15 A, 600 V, D2PAK (TO-263) (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIHB15N60E-GE3

kezdő: HUF 548,00*
db-ként

MOSFET, 15 A, 600 V, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIHB15N60E-GE3

kezdő: HUF 730,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik, 13 A-es elvezető árammal.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Kevesebb kapcsolási é...

Vishay

SIHB15N80AE-GE3

kezdő: HUF 488,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...

Vishay

SIHB15N80AE-GE3

kezdő: HUF 399,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik, 15 A-es elvezető árammal.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Kevesebb kapcsolási é...

Vishay

SIHB17N80AE-GE3

kezdő: HUF 570,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...

Vishay

SIHB17N80AE-GE3

kezdő: HUF 472,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB17N80E (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = SiHB17N80E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SIHB17N80E-GE3

kezdő: HUF 856,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB17N80E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú Power MOSFET-EK alacsony érdemű (FOM) Ron x QG-vel és alacsony bemeneti kapacitással (CISS) rendelkeznek.Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású (UIS)

Vishay

SIHB17N80E-GE3

kezdő: HUF 872,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 711 712 713 714 715 716 717 718 719 720 721 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)