MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (100/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

PSMN0R9-25YLC

kezdő: HUF 309,66667*
db-ként

kezdő: HUF 929,00001*
3 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

PSMN1R2-25YLC,115

kezdő: HUF 193,00*
db-ként

Infineon IRFH5250 tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFH5250TRPBF

kezdő: HUF 251,75675*
db-ként

kezdő: HUF 1 007 027,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 4-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-je a „fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”;. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A...

Infineon

IRFH5250TRPBF

kezdő: HUF 385,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR140DP (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Sorozat = SiDR140DP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SIDR140DP-T1-RE3

kezdő: HUF 636,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR140DP (1 ajánlat)

A Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET TOP Side hűtőfunkcióval rendelkezik, amely további lehetőséget biztosít a hőátadásra. Az optimalizált QG, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolással kapcsola...

Vishay

SIDR140DP-T1-RE3

kezdő: HUF 831,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR220DP (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Sorozat = SiDR220DP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SIDR220DP-T1-RE3

kezdő: HUF 654,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR220DP (1 ajánlat)

A Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET optimális QG, Qgd és Qgd/Qgs aránnyal csökkenti a kapcsolással kapcsolatos áramveszteséget.100 % RG és UIS vizsgálat TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET

Vishay

SIDR220DP-T1-RE3

kezdő: HUF 855,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™5 teljesítmény MOSFET-ek

Infineon

BSC009NE2LS5IATMA1

kezdő: HUF 563,46*
db-ként

kezdő: HUF 2 817,30*
5 db-ként

Infineon BSC009NE2LS5 tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC009NE2LS5ATMA1

kezdő: HUF 233,00*
db-ként

Infineon BSC009NE2LS5I tranzisztor 80 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC009NE2LS5IATMA1

kezdő: HUF 280,873*
db-ként

kezdő: HUF 1 404,365*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™5 teljesítmény MOSFET-ek

Infineon

BSC009NE2LS5ATMA1

kezdő: HUF 698,36*
db-ként

kezdő: HUF 3 491,80*
5 db-ként

Infineon BSC010NE2LS tranzisztor 300 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC010NE2LSATMA1

kezdő: HUF 277,29*
db-ként

kezdő: HUF 1 386,45*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET család. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is teljes körű rugalmasság...

Infineon

BSC010NE2LSATMA1

kezdő: HUF 267,05*
db-ként

kezdő: HUF 2 670,50*
10 db-ként

Infineon BSC009NE2LS tranzisztor 25 V (2 ajánlat)

Infineon

BSC009NE2LSATMA1

kezdő: HUF 288,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)