MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (109/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 550 A, 55 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat

IXYS

MMIX1T550N055T2

kezdő: HUF 16 672,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220SIS TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK6 és TK7 sorozat Toshiba

Toshiba

TK72A08N1,S4X(S

kezdő: HUF 16 654,50*
50 db-ként

Infineon IPI45N06S4-09 tranzisztor 55 V (1 ajánlat)

Infineon

IPI45N06S409AKSA2

kezdő: HUF 16 630,70*
50 db-ként

Vishay IRL540PBF IGBT (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

IRL540PBF

kezdő: HUF 16 586,20*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ P6 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™E6/P6 sorozatú Power MOSFET. Az Infineon ;sup>™ ;/sup> E6 és P6 sorozatú MOSFET Ezek a rendkívül hatékony eszközök több alkalmazásban is használhatók, például teljesítménytényező-k...

Infineon

IPW60R190P6FKSA1

kezdő: HUF 16 398,90*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráselle...

IXYS

IXFN90N85X

kezdő: HUF 16 202,00*
db-ként

MOSFET, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3

ST Microelectronics

SCTW60N120G2

kezdő: HUF 16 156,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 65 V, 8-tüskés, SOIC TetraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

RF MOSFET tranzisztorok, Semelab

Semelab

D2020UK

kezdő: HUF 16 137,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként...

Infineon

IMZA120R007M1HXKSA1

kezdő: HUF 16 084,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,8 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP6NK90Z

kezdő: HUF 16 061,60*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF530PBF

kezdő: HUF 16 055,70*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD1NK60-1

kezdő: HUF 15 958,40025*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-247AC Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.304 Ω Maximális kap...

Vishay

SIHG15N80AE-GE3

kezdő: HUF 15 872,10*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFN44N100Q3

kezdő: HUF 15 870,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 55 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRFP064NPBF

kezdő: HUF 15 852,40*
25 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)