MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (110/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 20 V, 8-tüskés, 1206 ChipFET TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = 1206 ChipFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...

Vishay

SI5515CDC-T1-GE3

kezdő: HUF 2 477,70*
20 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 kettős TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Vishay

SiS590DN-T1-GE3

kezdő: HUF 130,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 kettős TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 kettős Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 M...

Vishay

SiS590DN-T1-GE3

kezdő: HUF 193,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 390 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-363 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 390 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-363 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Elemek száma chip...

Infineon

BSD223PH6327XTSA1

kezdő: HUF 30,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 386 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

A Infineon 600V CoolMOS P7 szuperjunkciósMOSFET a 600V CoolMOS™ P6 sorozat utódja. Továbbra is egyensúlyt teremt a nagy hatékonyság és a tervezési folyamat egyszerű használata között. A CoolMOS™ 7....

Infineon

IPW60R024P7XKSA1

kezdő: HUF 2 734,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 650 V, 12-tüskés, APMCD-A16 FAM SiC (1 ajánlat)

A ON Semiconductor FAM65CR51ADZ1 egy teljesítménybe integrált MOSFET modul, amely feszültségnövelő átalakítóval rendelkezik többfázisú és félig megvesztegethetetlen teljesítménytényező-korrekcióhoz...

onsemi

FAM65CR51ADZ2

kezdő: HUF 623 574,60048*
72 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 650 V, 12-tüskés, APMCD-A16 FAM SiC (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = FAM Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 12 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.051 Ω Maximális ka...

onsemi

FAM65CR51ADZ2

kezdő: HUF 9 289,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FDC TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat)

A Vishay SiZ250DT-T1-GEG egy kettős N-csatornás 60V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség Az optimalizált Qgs/Qgs arány javítja a kapcsolást Je...

Vishay

SiZ250DT-T1-GE3

kezdő: HUF 785,71*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FDC TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET® Gen IV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...

Vishay

SiZ250DT-T1-GE3

kezdő: HUF 181,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 360 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS CSFD (1 ajánlat)

A 600 V-os Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 ideális rezonáns topológiákhoz nagy teljesítményű SMPS-ekben, például szerverekben, telekommunikációs és EV töltőállomásokon, aho...

Infineon

IPW60R024CFD7XKSA1

kezdő: HUF 3 040,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 36 A, 80 V, 12-tüskés, 3 x 3FS Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 3 x 3FS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 12 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SIZF4800LDT-T1-GE3

kezdő: HUF 1 164 062,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 36 A, 80 V, 12-tüskés, 3 x 3FS Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIZF4800LDT-T1-GE3

kezdő: HUF 394,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 350.8 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 350.8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Vishay

SiR500DP-T1-RE3

kezdő: HUF 235,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 350.8 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Vishay

SiR500DP-T1-RE3

kezdő: HUF 262,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 350 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-563 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 350 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 50 V Csomag típusa = SOT-563 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő f...

Diodes

DMN53D0LV-7

kezdő: HUF 158,755*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)