MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (111/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHFBC30S-GE3

kezdő: HUF 14 949,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 202 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...

Infineon

IRF1404PBF

kezdő: HUF 14 927,40*
50 db-ként

Infineon IPP80N06S4-07 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPP80N06S407AKSA2

kezdő: HUF 14 911,70*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális ...

onsemi

NVBG020N120SC1

kezdő: HUF 14 843,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STF45N10F7

kezdő: HUF 14 828,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

IXYS

IXFN170N65X2

kezdő: HUF 14 822,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP40NF10

kezdő: HUF 14 738,40*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba

Toshiba

TK58E06N1

kezdő: HUF 14 706,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFN210N30P3

kezdő: HUF 14 681,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat)

Alacsony RDS(ON) és Qg Gyors testdióda dv/dt tartósság Minősített lavinahatás Alacsony csomaginduktivitás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Rezonáns mód tápellátás Nagy intenzitású kisülé...

IXYS

IXFN170N65X2

kezdő: HUF 14 629,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFN80N50Q3

kezdő: HUF 14 599,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFR110PBF

kezdő: HUF 14 554,70025*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 74 A, 55 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...

Infineon

IRF4905LPBF

kezdő: HUF 14 474,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET (1 ajánlat)

StrongIRFET™ Power MOSFET Infineon. Az Infineon StrongIRFET családját alacsony R ;sub> DS ( ;/sub>be) és nagy áram teljesítményre optimalizálták. A portfólió továbbfejlesztett kaputechnológiát, lav...

Infineon

IRF100B202

kezdő: HUF 14 401,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...

ST Microelectronics

SCTWA70N120G2V-4

kezdő: HUF 14 396,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)