Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQP5N60C
kezdő: HUF 12 570,50*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF3710PBF
kezdő: HUF 12 499,90*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat
IXYS
IXFN24N100
kezdő: HUF 12 490,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 73 A, 1200 V, TO-247 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 73 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tranzisztor anyaga = SiC
Microchip Technology
MSC025SMA120B
kezdő: HUF 12 439,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 81 A, 1200 V, TO-247-4L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt
ROHM Semiconductor
SCT4018KRC15
kezdő: HUF 12 427,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 99 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1
Microchip Technology
MSC015SMA070B4
kezdő: HUF 12 385,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW70N SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW70N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
kezdő: HUF 12 349,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 600 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFB82N60Q3
kezdő: HUF 12 305,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...
Infineon
BSS223PWH6327XTSA1
kezdő: HUF 12 303,50*
500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHF634S-GE3
kezdő: HUF 12 277,30*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRLZ34NPBF
kezdő: HUF 12 263,70*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 138 A, 650 V, 3-tüskés, Max247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STY145N65M5
kezdő: HUF 12 152,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPSA70R600P7SAKMA1
kezdő: HUF 12 099,00*
75 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
IXYS
IXFB90N85X
kezdő: HUF 12 057,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 6,8 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF9520PBF
kezdő: HUF 12 039,10*
50 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.