Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
Infineon ISZ040N03L5ISATMA1 (1 ajánlat) 
MOSFET-ek
Infineon
ISZ040N03L5ISATMA1
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, -6,5 A, -60 V, 3-tüskés, TO-252 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = -6,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = -60 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...
Infineon
IPD25DP06NMATMA1
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
Infineon IRLU3410 tranzisztor 40 V (3 ajánlat)
Infineon
IRLU3410PBF
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiSH892BDN-T1-GE3
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NTF3055-100T1G
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 14 A, 30 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerDI5060-8
Diodes
DMP3011SPSW-13
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, TO-252AA HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = TO-252AA Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növ...
Infineon
IRFR9024NTRLPBF
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 12,5 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 12,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
Si6423ADQ-T1-GE3
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 18 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212–8 W TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SQSA12CENW-T1_GE3
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 6,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® Dual P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesíti...
onsemi
FDS4935BZ
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 31 A, 100 V, DPAK HEXFET (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 31 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt
Infineon
IRFR3410TRPBF
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 90 A, 30 V, PQFN 5 x 6 HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PQFN 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
IRFH8324TRPBF
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
Vishay SI7315DN-T1-GE3 IGBT (1 ajánlat) 
MOSFET-ek
Vishay
SI7315DN-T1-GE3
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
Vishay SUD19P06-60-GE3 IGBT (2 ajánlat) 
MOSFET-ek
Vishay
SUD19P06-60-GE3
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 1,7 A, 60 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRLD014PBF
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.