MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (115/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Infineon BSZ0902NS tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

BSZ0902NSATMA1

kezdő: HUF 152,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 30 V, 8-tüskés, PG-TSDSON-8 FL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PG-TSDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mó...

Infineon

BSZ0902NSATMA1

kezdő: HUF 199,00*
db-ként

Infineon BSC0902NS tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

BSC0902NSATMA1

kezdő: HUF 123,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...

Infineon

IPW65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 5 315,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPW65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 5 464,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...

Infineon

IPZA65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 805 090,6416*
240 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

IPZA65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 3 351,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRF3808STRLPBF

kezdő: HUF 494,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF3808STRLPBF

kezdő: HUF 3 496,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTTFS5C453NLTAG

kezdő: HUF 175,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTTFS5C453NLTAG

kezdő: HUF 212 970,00*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...

Infineon

IPW65R099CFD7AXKSA1

kezdő: HUF 1 649,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 650 V, 3-tüskés, TO-263 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...

Infineon

IPB65R099CFD7AATMA1

kezdő: HUF 937,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 200 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 108 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPTG111N20NM3FDATMA1

kezdő: HUF 1 484,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 200 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 3 (1 ajánlat)

Infineon

IPTG111N20NM3FDATMA1

kezdő: HUF 1 922,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)