Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Infineon
BSC034N03LSGATMA1
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRF8788TRPBF
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRLR2705TRPBF
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPN80R1K4P7ATMA1
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 71 A, 60 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NTMFS5C670NLT1G
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 18 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212–8 W TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SQSA70CENW-T1_GE3
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-tüskés, MicroFET vékony PowerTrench Izolált Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® Dual N/P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesí...
onsemi
FDME1034CZT
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IRLHM620TRPBF
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
Infineon
BSC110N06NS3GATMA1
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPU80R4K5P7AKMA1
kezdő: HUF 132,00*
db-ként
 
 db
Infineon
BSP170PH6327XTSA1
kezdő: HUF 132,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 127.5 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S TrenchFET® Gen III (2 ajánlat) 
A Vishay SiSS63DN-T1-GEO3 egy P-csatornás 20 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET LeaderSHIP RDS(on) kompakt és hőfejlett csomagban 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség
Vishay
SiSS63DN-T1-GE3
kezdő: HUF 132,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IRF7821TRPBF
kezdő: HUF 132,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V
onsemi
NTTFS5116PLTAG
kezdő: HUF 132,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24,7 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Vishay
SiS890ADN-T1-GE3
kezdő: HUF 132,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.