MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (115/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 81 A, 1200 V, TO-247-4L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt

ROHM Semiconductor

SCT4018KRC15

kezdő: HUF 10 704,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA90N65G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...

ST Microelectronics

SCTWA90N65G2V-4

kezdő: HUF 10 692,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) NVB SiC (1 ajánlat)

A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 60 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. A fedélzeti töltőben, DC- vagy DC-átalakító alkalmazásokban használható.AEC Q101 minősített Gyártási alk...

onsemi

NVBG040N120SC1

kezdő: HUF 10 660,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...

ST Microelectronics

SCTW100N65G2AG

kezdő: HUF 10 617,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh K5, SuperMESH5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ K5 sorozat, SuperMESH5™ STMicroelectronics

ST Microelectronics

STF2N80K5

kezdő: HUF 10 553,50*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 56 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...

ROHM Semiconductor

SCT3040KW7TL

kezdő: HUF 10 544,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 33 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP62NS04Z

kezdő: HUF 10 524,50*
50 db-ként

MOSFET, 105 A, 750 V, Cső (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 105 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Cső Rögzítés típusa = Furatszerelt

ROHM Semiconductor

SCT4013DRC15

kezdő: HUF 10 509,00*
db-ként

MOSFET, 45 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA40N120G2V-4 SiC (1 ajánlat)

SiC MOSFETAz STMicroelectronics 7 V, 55 650-os SCTH35N65G2V- STPOWER SiC MOSFET ugyanolyan névleges feszültségű és egyenértékű bekapcsolt állapotú ellenállással, Trench Field-stop (TFS) IGBT-vel. A...

ST Microelectronics

SCTWA40N120G2V-4

kezdő: HUF 10 509,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) NTD5C446N Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = NTD5C446N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NTD5C446NT4G

kezdő: HUF 10 489,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 112 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFN132N50P3

kezdő: HUF 10 477,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFN110N60P3

kezdő: HUF 10 452,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 800 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFX32N80Q3

kezdő: HUF 10 448,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 112 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFN132N50P3

kezdő: HUF 10 444,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFP150NPBF

kezdő: HUF 10 436,00*
25 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)