MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (116/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba

Toshiba

TK58E06N1

kezdő: HUF 293,502*
db-ként

kezdő: HUF 14 675,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba

Toshiba

TK58E06N1

kezdő: HUF 176,56*
db-ként

kezdő: HUF 882,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 105 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...

ROHM Semiconductor

RX3L07BBGC16

kezdő: HUF 553,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Si (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

RX3L07BBGC16

kezdő: HUF 443,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 750 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 105 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Nö...

ROHM Semiconductor

SCT4013DEC11

HUF 8 023,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 750 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT4013DEC11

kezdő: HUF 8 400,00*
db-ként

Infineon BSZ0902NS tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

BSZ0902NSATMA1

kezdő: HUF 181,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 30 V, 8-tüskés, PG-TSDSON-8 FL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PG-TSDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mó...

Infineon

BSZ0902NSATMA1

kezdő: HUF 265,00*
db-ként

Infineon BSC0902NS tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

BSC0902NSATMA1

kezdő: HUF 119,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...

Infineon

IPW65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 5 694,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPW65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 5 503,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...

Infineon

IPZA65R018CFD7XKSA1

HUF 5 656,00*
db-ként

HUF 1 357 440,00*
240 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPZA65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 5 874,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRF3808STRLPBF

kezdő: HUF 494,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF3808STRLPBF

kezdő: HUF 700,26*
db-ként

kezdő: HUF 3 501,30*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)