Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor
onsemi
NTTFS5C453NLTAG
kezdő: HUF 1 481,45*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor
onsemi
NTTFS5C453NLTAG
kezdő: HUF 623 542,005*
1 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...
Infineon
IPW65R099CFD7AXKSA1
kezdő: HUF 1 652,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 650 V, 3-tüskés, TO-263 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...
Infineon
IPB65R099CFD7AATMA1
kezdő: HUF 1 033,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 200 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 108 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Infineon
IPTG111N20NM3FDATMA1
kezdő: HUF 1 484,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 200 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 108 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Infineon
IPTG111N20NM3FDATMA1
kezdő: HUF 1 930,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (3 ajánlat) 
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.TrentchFET® Gen IV p-csatornás MOSFET teljesítményjelző Rendkívül alacsony RDS(on) funkciót biztosít kompakt kivitelben, amelyet hőszabályozásos módon továbbfejlesztenek...
Vishay
SiSS05DN-T1-GE3
kezdő: HUF 163,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 108 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SiSS05DN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 883,00*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 45 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat) 
A Vishay SISS50DN-T1-G3 egy N-csatornás 45 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS (be) érték kompakt és hőállóság szempontjából továbbfejlesztett tokban Az opti...
Vishay
SISS50DN-T1-GE3
kezdő: HUF 117,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 45 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 108 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SISS50DN-T1-GE3
kezdő: HUF 127,00*
db-ként
Infineon IPW60R017C7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)
Infineon
IPW60R017C7XKSA1
kezdő: HUF 167 020,80*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 109 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat) 
Infineon 600V CoolMOS™ sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. A CoolMOS™ C7 egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szupercsomópont (SJ) elvének megfelelően ter...
Infineon
IPW60R017C7XKSA1
kezdő: HUF 5 260,00*
db-ként
Infineon IPZ60R017C7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)
Infineon
IPZ60R017C7XKSA1
kezdő: HUF 5 419,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 109 A, 600 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
A COOL MOS™ C7 Infineon kialakítása egy forradalmi technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600V...
Infineon
IPZ60R017C7XKSA1
kezdő: HUF 5 528,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMN10H220LFVW (2 ajánlat) 
A DiodesZetex DMN10H220LFVW sorozatú MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, ami ideálissá teszi a nagy hatékony...
Diodes
DMN10H220LFVW-7
kezdő: HUF 42,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.