Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP448PBF
kezdő: HUF 1 312,00*
db-ként
kezdő: HUF 1 312,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...
Infineon
IRFR9024NTRPBF
kezdő: HUF 64,00*
db-ként
kezdő: HUF 64,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...
Infineon
IRFR9024NTRPBF
kezdő: HUF 64,135*
db-ként
kezdő: HUF 1 282,70*
20 db-ként
Infineon
AUIRFR9024NTRL
kezdő: HUF 467,677*
db-ként
kezdő: HUF 1 403 031,00*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
AUIRFR9024NTRL
kezdő: HUF 418,00*
db-ként
kezdő: HUF 418,00*
db-ként
Infineon
IRFU9024NPBF
kezdő: HUF 154,00*
db-ként
kezdő: HUF 154,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...
Infineon
IRFU9024NPBF
kezdő: HUF 148,168*
db-ként
kezdő: HUF 11 112,60*
75 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD3055LESM9A
kezdő: HUF 92,2984*
db-ként
kezdő: HUF 230 746,00*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD3055LESM9A
kezdő: HUF 100,00*
db-ként
kezdő: HUF 100,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor
Vishay
SQD19P06-60L_GE3
kezdő: HUF 203,00*
db-ként
kezdő: HUF 203,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor
Vishay
SQD19P06-60L_GE3
kezdő: HUF 411,14*
db-ként
kezdő: HUF 4 111,40*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 8-tüskés, SOP (1 ajánlat) 
A ROHM teljesítmény MOSFET DFN1616-7T tokozással rendelkezik. Elsősorban kapcsolásra, DC-DC átalakítóra és akkumulátorkapcsolókra használják.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Nagy teljesítmén...
ROHM Semiconductor
RS3L110ATTB1
kezdő: HUF 397,897*
db-ként
kezdő: HUF 994 742,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 8-tüskés, SOP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
ROHM Semiconductor
RS3L110ATTB1
kezdő: HUF 320,00*
db-ként
kezdő: HUF 320,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCB11N60TM
kezdő: HUF 986,00*
db-ként
kezdő: HUF 986,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCB11N60TM
kezdő: HUF 470,28375*
db-ként
kezdő: HUF 376 227,00*
800 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.