MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (119/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...

Infineon

IRFR9024NTRPBF

kezdő: HUF 132,94*
db-ként

kezdő: HUF 2 658,80*
20 db-ként

Infineon AUIRFR9024N tranzisztor 55 V (1 ajánlat)

Infineon

AUIRFR9024NTRL

kezdő: HUF 469,62267*
db-ként

kezdő: HUF 1 408 868,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

AUIRFR9024NTRL

kezdő: HUF 421,00*
db-ként

Infineon IRFU9024N tranzisztor 55 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFU9024NPBF

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRFU9024NPBF

kezdő: HUF 148,008*
db-ként

kezdő: HUF 11 100,60*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

RFD3055LESM9A

kezdő: HUF 92,3204*
db-ként

kezdő: HUF 230 801,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD3055LESM9A

kezdő: HUF 93,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQD19P06-60L_GE3

kezdő: HUF 207,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQD19P06-60L_GE3

kezdő: HUF 413,54*
db-ként

kezdő: HUF 4 135,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 8-tüskés, SOP (1 ajánlat)

A ROHM teljesítmény MOSFET DFN1616-7T tokozással rendelkezik. Elsősorban kapcsolásra, DC-DC átalakítóra és akkumulátorkapcsolókra használják.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Nagy teljesítmén...

ROHM Semiconductor

RS3L110ATTB1

kezdő: HUF 398,4626*
db-ként

kezdő: HUF 996 156,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 8-tüskés, SOP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

ROHM Semiconductor

RS3L110ATTB1

kezdő: HUF 322,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...

onsemi

FCB11N60TM

kezdő: HUF 995,00*
db-ként