Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 650 V, 12-tüskés, APMCD-A16 FAM SiC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor FAM65CR51ADZ1 egy teljesítménybe integrált MOSFET modul, amely feszültségnövelő átalakítóval rendelkezik többfázisú és félig megvesztegethetetlen teljesítménytényező-korrekcióhoz...
onsemi
FAM65CR51ADZ2
kezdő: HUF 8 650,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 84 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC (1 ajánlat) 
A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 102 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. Szünetmentes tápban, egyenáramú vagy DC konverterben, Boost inverterben használható.20mO engedje le az ...
onsemi
NTH4L020N120SC1
kezdő: HUF 8 637,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTW (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 5.2e+007 Ω Maximáli...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
kezdő: HUF 8 623,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 500 V, 3-tüskés, ISOPLUS264 PolarHVTM HiPerFET (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET PolarHV sorozatú tápegység. IXYS PolarHV™ sorozatú N-csatornás MOSFET-erősítő mód gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFL100N50P
kezdő: HUF 8 583,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRF630NPBF
kezdő: HUF 8 544,80*
50 db-ként
 
 csomag
Infineon
IPA60R600P7SXKSA1
kezdő: HUF 8 537,30*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Nö...
ROHM Semiconductor
SCT4018KEC11
kezdő: HUF 8 532,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 396 A, 80 V, 16-tüskés, PG HDSOP-16 (TOLT) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 396 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 16 Maximális nyelő forr...
Infineon
IPTC012N08NM5ATMA1
kezdő: HUF 8 483,215*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK32N100Q3
kezdő: HUF 8 481,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRLB8743PBF
kezdő: HUF 8 472,20*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR24N100Q3
kezdő: HUF 8 466,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) NVB SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális ...
onsemi
NVBG040N120SC1
kezdő: HUF 8 459,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX32N100Q3
kezdő: HUF 8 457,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
kezdő: HUF 8 449,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPW60R045CP
kezdő: HUF 8 434,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   121   122   123   124   125   126   127   128   129   130   131   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.