MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (122/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 2,1 A, 3,4 A, 30 V, 6-tüskés, TSOT-26 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMG6602SVT-7

kezdő: HUF 8 942,60*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 127 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 127 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként...

Infineon

IMZA120R014M1HXKSA1

kezdő: HUF 8 919,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 64 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRFZ48NPBF

kezdő: HUF 8 909,60*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,6 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF510PBF

kezdő: HUF 8 887,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17,5 A, 950 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW20N95K5

kezdő: HUF 8 883,90*
5 db-ként

MOSFET, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTW (2 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 5.2e+007 ...

ST Microelectronics

SCTWA60N120G2-4

kezdő: HUF 8 872,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 800 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFR44N80P

kezdő: HUF 8 751,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRLB8743PBF

kezdő: HUF 8 742,30*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB LogicFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRL520NPBF

kezdő: HUF 8 730,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHF9620S-GE3

kezdő: HUF 8 728,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 120 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 120 V Csomag típusa = PQFN 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...

onsemi

FDMS4D0N12C

kezdő: HUF 8 706,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRLZ44NPBF

kezdő: HUF 8 699,30*
50 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

Az ON Semiconductor beépített töltő H-Bridge APM16 sorozat LLC és fáziseltolódott DC-DC átalakító. Lehetővé teszi a kis méretű, hatékony és megbízható rendszer kialakítását a jármű üzemanyag-fogyas...

onsemi

NXV65HR82DZ2

kezdő: HUF 8 687,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET (1 ajánlat)

StrongIRFET™ Power MOSFET Infineon. Az Infineon StrongIRFET családját alacsony R ;sub> DS ( ;/sub>be) és nagy áram teljesítményre optimalizálták. A portfólió továbbfejlesztett kaputechnológiát, lav...

Infineon

IRF100B202

kezdő: HUF 8 683,50*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 127 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 127 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IMW120R014M1HXKSA1

kezdő: HUF 8 676,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)