Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 46 A, 1200 V, TO-247 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tranzisztor anyaga = SiC
Microchip Technology
MSC040SMA120B
kezdő: HUF 7 443,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 89 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...
onsemi
NTHL022N120M3S
kezdő: HUF 7 433,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...
Infineon
IRFR5410TRPBF
kezdő: HUF 7 430,90*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
AIMW120R060M1HXKSA1
kezdő: HUF 7 418,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN102N30P
kezdő: HUF 7 415,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRLZ24NPBF
kezdő: HUF 7 413,60*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 64 A, 500 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK64N50Q3
kezdő: HUF 7 383,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK48N60Q3
kezdő: HUF 7 378,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRFZ34NPBF
kezdő: HUF 7 369,20*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 64 A, 500 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK64N50Q3
kezdő: HUF 7 352,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK24N100Q3
kezdő: HUF 7 339,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 850 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...
IXYS
IXFK66N85X
kezdő: HUF 7 334,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
kezdő: HUF 7 333,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 350 mΩ Csatorna m...
ST Microelectronics
STB12NM50T4
kezdő: HUF 7 325,60*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat) 
Az ON Semiconductor beépített töltő H-Bridge APM16 sorozat LLC és fáziseltolódott DC-DC átalakító. Lehetővé teszi a kis méretű, hatékony és megbízható rendszer kialakítását a jármű üzemanyag-fogyas...
onsemi
NXV65HR82DZ1
kezdő: HUF 7 317,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   121   122   123   124   125   126   127   128   129   130   131   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.