Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Összehasonlító ár ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 11.9 A, 30.2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMT47 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11.9 A, 30.2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMT47 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...
Diodes
DMT47M2LDV-7
kezdő: HUF 125,00*
db-ként
kezdő: HUF 125,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11.9 A, 30.2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMT47 Si (1 ajánlat) 
A DiodesZetex 40V,8 tűs kettős N-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így i...
Diodes
DMT47M2LDV-7
kezdő: HUF 218,00*
db-ként
kezdő: HUF 218,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, H2PAK-2 DeepGate, STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás STripfFET™ hosszú kapu™, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STH150N10F7-2
kezdő: HUF 653,00*
db-ként
kezdő: HUF 653,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, H2PAK-2 DeepGate, STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás STripfFET™ hosszú kapu™, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STH150N10F7-2
kezdő: HUF 864,75*
db-ként
kezdő: HUF 1 729,50*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 DeepGate, STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás STripfFET™ hosszú kapu™, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STP240N10F7
kezdő: HUF 698,00*
db-ként
kezdő: HUF 698,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 DeepGate, STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás STripfFET™ hosszú kapu™, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STP240N10F7
kezdő: HUF 687,70*
db-ként
kezdő: HUF 1 375,40*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET H7 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STP110N10F7
kezdő: HUF 610,00*
db-ként
kezdő: HUF 610,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STP110N10F7
kezdő: HUF 662,04*
db-ként
kezdő: HUF 3 310,20*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STF45N10F7
kezdő: HUF 297,402*
db-ként
kezdő: HUF 14 870,10*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STF45N10F7
kezdő: HUF 360,28*
db-ként
kezdő: HUF 1 801,40*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH110N10P
kezdő: HUF 1 602,00*
db-ként
kezdő: HUF 1 602,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH110N10P
kezdő: HUF 1 647,00*
db-ként
kezdő: HUF 1 647,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW120NF10
kezdő: HUF 486,00*
db-ként
kezdő: HUF 486,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW120NF10
kezdő: HUF 475,32*
db-ként
kezdő: HUF 2 376,60*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
onsemi
NTMFS7D8N10GTWG
kezdő: HUF 549,251*
db-ként
kezdő: HUF 1 647 753,00*
3 000 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   121   122   123   124   125   126   127   128   129   130   131   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.