Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☑
☐
Kép
Minőséghitelesítő pecsét x
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 114 A, 150 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek szá...
Infineon
BSC074N15NS5ATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 1 149,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 114 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SQJ152EP-T1_GE3
nincs adat
kezdő: HUF 124,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 114 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SQJ152EP-T1_GE3
nincs adat
kezdő: HUF 184,00*
db-ként
 
 db
Infineon
BSZ028N04LSATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 128,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 114 A, 40 V, 8-tüskés, TSDSON-8 FL OptiMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Infineon
BSZ028N04LSATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 115 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
Wolfspeed
C3M0016120K
nincs adat
kezdő: HUF 23 334,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
Piacvezető 16 mΩ RDS(be) 1200 V VBR (minimum) a teljes működési hőmérsékleti tartományban [-40 ˚C - 175 ˚C] +15 V bálakamra-ajtó hajtás feszültség Kis impedanciájú csomag Kelvin forrástűvel >8 mm á...
Wolfspeed
C3M0016120K
nincs adat
kezdő: HUF 29 561,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N20P
nincs adat
kezdő: HUF 6 054,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N20P
nincs adat
kezdő: HUF 59 662,70*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N30P
nincs adat
kezdő: HUF 9 231,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N30P
nincs adat
kezdő: HUF 108 494,50*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
2N7002LT1G
nincs adat
kezdő: HUF 13,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
2N7002LT3G
nincs adat
kezdő: HUF 13,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
2N7002-7-F
nincs adat
kezdő: HUF 6,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7002
nincs adat
kezdő: HUF 32,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   131   132   133   134   135   136   137   138   139   140   141   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.