MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (133/794 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 114 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SQJ152EP-T1_GE3

kezdő: HUF 186,00*
db-ként

Infineon BSZ028N04LS tranzisztor 40 V (2 ajánlat)

Infineon

BSZ028N04LSATMA1

kezdő: HUF 128,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 114 A, 40 V, 8-tüskés, TSDSON-8 FL OptiMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TSDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyel...

Infineon

BSZ028N04LSATMA1

kezdő: HUF 131,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 115 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...

Wolfspeed

C3M0016120K

kezdő: HUF 22 360,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Piacvezető 16 mΩ RDS(be) 1200 V VBR (minimum) a teljes működési hőmérsékleti tartományban [-40 ˚C - 175 ˚C] +15 V bálakamra-ajtó hajtás feszültség Kis impedanciájú csomag Kelvin forrástűvel >8 mm á...

Wolfspeed

C3M0016120K

kezdő: HUF 29 585,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN140N20P

kezdő: HUF 7 447,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN140N20P

kezdő: HUF 59 708,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN140N30P

kezdő: HUF 9 158,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN140N30P

kezdő: HUF 108 068,50*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

2N7002LT1G

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

2N7002LT3G

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

2N7002-7-F

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (3 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

2N7002

kezdő: HUF 34,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

2N7002LT1G

kezdő: HUF 445,40*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

2N7002

kezdő: HUF 657,00*
20 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)