Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Összehasonlító ár ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 IPP129N10NF2S (1 ajánlat) 
A Infineon IPP129N10NF2S az N csatornás teljesítmény MOSFET. a mosfet leeresztő forrás feszültsége a 100 V. Sokféle alkalmazást támogat, és a standard érintkezőkiosztás lehetővé teszi a leejtést. E...
Infineon
IPP129N10NF2SAKMA1
kezdő: HUF 219,00*
db-ként
kezdő: HUF 219,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 IPP129N10NF2S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = IPP129N10NF2S Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális kapu küszöbfeszü...
Infineon
IPP129N10NF2SAKMA1
kezdő: HUF 361,00*
db-ként
kezdő: HUF 361,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFP12N10L
kezdő: HUF 260,00*
db-ként
kezdő: HUF 260,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFP12N10L
kezdő: HUF 278,106*
db-ként
kezdő: HUF 13 905,30*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF9530PBF
kezdő: HUF 179,00*
db-ként
kezdő: HUF 179,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF9530PBF
kezdő: HUF 373,776*
db-ként
kezdő: HUF 18 688,80*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 Linear Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTH12N100L
kezdő: HUF 5 724,00*
db-ként
kezdő: HUF 5 724,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 Linear Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
IXYS
IXTH12N100L
kezdő: HUF 5 352,00*
db-ként
kezdő: HUF 5 352,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 12 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDMA908PZ
kezdő: HUF 110,00*
db-ként
kezdő: HUF 110,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 12 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDMA908PZ
kezdő: HUF 97,288*
db-ként
kezdő: HUF 2 432,20*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 12 V, 6-tüskés, PowerPAK SC-70 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Vishay
SIA447DJ-T1-GE3
kezdő: HUF 46,00*
db-ként
kezdő: HUF 46,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 12 V, 6-tüskés, PowerPAK SC-70 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Vishay
SIA447DJ-T1-GE3
kezdő: HUF 46,34*
db-ként
kezdő: HUF 463,40*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 STB37N60 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = STB37N60 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
ST Microelectronics
STH12N120K5-2
kezdő: HUF 2 571,00*
db-ként
kezdő: HUF 2 571,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 STB37N60 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = STB37N60 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
ST Microelectronics
STH12N120K5-2
kezdő: HUF 2 919,00*
db-ként
kezdő: HUF 2 919,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMS86252L
kezdő: HUF 298,00*
db-ként
kezdő: HUF 298,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   131   132   133   134   135   136   137   138   139   140   141   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.