MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (139/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

marginDiff

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NTD2955T4G

nincs adat

berechnete Marge groesser

kezdő: HUF 159,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTD3055-094T4G

nincs adat

berechnete Marge groesser

kezdő: HUF 310 778,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NTD2955T4G

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 1 564,20*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTD3055L104T4G

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 2 530,20*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

FQD17P06TM

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 1 347,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTD3055-094T4G

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 2 979,80*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

MTP3055VL

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 18 630,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

MTP3055VL

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 1 194,50*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 6-tüskés, SC-70-6L TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss tényezőhöz hangolva

Vishay

SiA106DJ-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 165,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 6-tüskés, SC-70-6L TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SC-70-6L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő fo...

Vishay

SiA106DJ-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 1 610,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, HSMT RQ3L050GN Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RQ3L050GNTB

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 119,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRF7855TRPBF

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 202,00*
db-ként