MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (141/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQP9N90C

kezdő: HUF 5 508,10*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVP2110GTA

kezdő: HUF 5 503,40*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 22-tüskés, QDPAK IPDQ60R010S7A (1 ajánlat)

A Infineon IPDQ60R010S7A egy nagyfeszültségű MOSFET, amelyet statikus kapcsolóként terveztek a szuper csatlakozás (SJ) elve szerint. A mosfet a vezető SJ MOSFET beszállító tapasztalatát ötvözi a ma...

Infineon

IPDQ60R010S7AXTMA1

kezdő: HUF 5 496,00*
db-ként

Infineon IPA60R1K0CE tranzisztor 700 V (1 ajánlat)

Infineon

IPA60R1K0CEXKSA1

kezdő: HUF 5 493,20*
50 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...

Diodes

DMN1008UFDF-7

kezdő: HUF 5 480,20*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...

Infineon

IPW65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 5 470,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

IPD053N08N3GATMA1

kezdő: HUF 5 467,90*
10 db-ként

Infineon IPZ60R017C7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPZ60R017C7XKSA1

kezdő: HUF 5 461,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-268 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFT18N100Q3

kezdő: HUF 5 455,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 30 V, 3-tüskés, TSMT-3 RQ5E025SN Egyszeres (1 ajánlat)

Az RQ5E025SN típusú kisjelű MOSFET alacsony bekapcsolt állapotú ellenállással és beépített G-S-védelmi diódával van felszerelve. Kapcsolásra használható.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás. Beé...

ROHM Semiconductor

RQ5E025SNTL

kezdő: HUF 5 444,60*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 22 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

ROHM Semiconductor

SCT2160KEHRC11

kezdő: HUF 5 441,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 54 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...

onsemi

NTH4L040N120M3S

kezdő: HUF 5 441,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

BSC047N08NS3GATMA1

kezdő: HUF 5 436,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 700 V, 3-tüskés, Super-247 E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 85 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SiHS90N65E-GE3

kezdő: HUF 5 428,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW40N (1 ajánlat)

A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...

ST Microelectronics

SCTW40N120G2V

kezdő: HUF 5 411,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)