MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (141/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, HSMT RQ3L050GN Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RQ3L050GNTB

nincs adat

kezdő: HUF 118,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRF7855TRPBF

nincs adat

kezdő: HUF 199,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF7855TRPBF

nincs adat

kezdő: HUF 2 031,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDS5672

nincs adat

kezdő: HUF 261,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDS5672

nincs adat

kezdő: HUF 1 576,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, VSONP NexFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = NexFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráselle...

Texas Instruments

CSD18543Q3A

nincs adat

kezdő: HUF 5 233,75*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, VSONP NexFET Si (1 ajánlat)

Texas Instruments

CSD18543Q3A

nincs adat

kezdő: HUF 127,00*
db-ként

Infineon IPB60R280P7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPB60R280P7ATMA1

nincs adat

kezdő: HUF 331,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPB60R280P7ATMA1

nincs adat

kezdő: HUF 478,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh DM2 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...

ST Microelectronics

STB18N60DM2

nincs adat

kezdő: HUF 492,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STB18N60DM2

nincs adat

kezdő: HUF 427 634,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...

ST Microelectronics

STD15N60DM6

nincs adat

kezdő: HUF 338,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET a mesh DM6 gyors regeneráló diódasorozatot képezi. A korábbi mesh Fast generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony helyre...

ST Microelectronics

STD15N60DM6

nincs adat

kezdő: HUF 349,00*
db-ként

Infineon IPD60R280P7S tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD60R280P7SAUMA1

nincs adat

kezdő: HUF 170,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat)

A Infineon 600V CoolMOS™ P7 sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. Rendkívül alacsony kapcsolási és vezetési veszteséggel rendelkezik, ami a kapcsolási alkalmazásokat még hatékonyabbá, kompaktab...

Infineon

IPD60R280P7SAUMA1

nincs adat

kezdő: HUF 271,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)