MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (147/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 12.2 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN4036LK3-13

nincs adat

kezdő: HUF 3 653,90*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12.5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDS6680A

nincs adat

kezdő: HUF 546,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12.7 A, 25 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 8 V - 25 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4116DY-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 299,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12.8 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, 11A - 30A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működé...

onsemi

FQP13N10

nincs adat

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12.8 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDS8447

nincs adat

kezdő: HUF 962,00*
5 db-ként

Infineon IPB120N10S4-05 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB120N10S405ATMA1

nincs adat

kezdő: HUF 611,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 120 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek szá...

Infineon

IPB120N10S405ATMA1

nincs adat

kezdő: HUF 714,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SUM70040E-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 519,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPB027N10N3GATMA1

nincs adat

kezdő: HUF 1 077 701,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPB027N10N3GATMA1

nincs adat

kezdő: HUF 837,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDB035N10A

nincs adat

kezdő: HUF 1 406,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDB035N10A

nincs adat

kezdő: HUF 2 638,20*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STB120NF10T4

nincs adat

kezdő: HUF 546,00*
db-ként