Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☑
☐
Kép
Minőséghitelesítő pecsét x
marginDiff x
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 193 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDP030N06
nincs adat
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 1 001,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 193 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDP030N06
nincs adat
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 2 399,00*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH120N20P
nincs adat
berechnete Marge kleiner
berechnete Marge kleiner
berechnete Marge groesser
kezdő: HUF 2 980,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH120N20P
nincs adat
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 3 097,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 300 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFX120N30P3
nincs adat
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 4 246,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 300 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK120N30P3
nincs adat
berechnete Marge kleiner
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 4 299,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 300 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK120N30P3
nincs adat
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 5 240,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2
nincs adat
berechnete Marge groesser
kezdő: HUF 624,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) IPB Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon p csatornás logikai szintű MOSFET a legnagyobb áramerősséggel és 100 százalékos lavina teszttel rendelkezik. A legnagyobb termikus hatékonyság érdekében a legkisebb kapcsolási és vezetés...
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2
nincs adat
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 893,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...
Infineon
IPB120P04P4L-03
nincs adat
berechnete Marge groesser
kezdő: HUF 619 642,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA1
nincs adat
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 4 926,60*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STB100NF04T4
nincs adat
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 676,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STB100NF04T4
nincs adat
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 1 325,80*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220 IPP Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon p csatornás logikai szintű MOSFET a legnagyobb termikus hatékonyság érdekében a legkisebb kapcsolási és vezetési teljesítményveszteséggel rendelkezik. Robusztus, kiváló minőségű és megbí...
Infineon
IPP120P04P4L03AKSA2
nincs adat
berechnete Marge groesser
kezdő: HUF 40 937,00*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220 IPP Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 120 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = IPP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...
Infineon
IPP120P04P4L03AKSA2
nincs adat
berechnete Marge kleiner
kezdő: HUF 865,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.