Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Infineon
IPW60R018CFD7XKSA1
kezdő: HUF 4 690,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 100 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-363 Si (1 ajánlat) 
Két Ellenállásos Digitális Tranzisztorok, Diódák B
Diodes
DDC143ZU-7-F
kezdő: HUF 4 675,70*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 230 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
2 N7008 N-csatornás MOSFET tranzisztorok. A Microchip 2N7008 egy kontrasztnövelés módú (általában kikapcsolt) tranzisztor, mely függőleges MOS struktúrát használ. A kialakítás ötvözi a bipoláris tr...
Microchip Technology
2N7008-G
kezdő: HUF 4 671,00*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 58 A, 1200 V, D2PAK-7L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 58 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = D2PAK-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
onsemi
NTBG022N120M3S
kezdő: HUF 4 669,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 122 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) BUK7610 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 122 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = BUK7610 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Nexperia
BUK7610-55AL,118
kezdő: HUF 4 667,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 106 A, 650 V, D2PAK-7L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = D2PAK-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
onsemi
NTBG025N065SC1
kezdő: HUF 4 658,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor DPAK-tokban kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Használható autóipari alkalmazásokhoz.Jellemzők Alacsony bekapcso...
onsemi
NVD5C454NLT4G
kezdő: HUF 4 650,00*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
TrenchFET® power MOSFET Kis hőellenállású tok
Vishay
SQM40016EM_GE3
kezdő: HUF 4 649,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 56 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R030M1HXKSA1
kezdő: HUF 4 627,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMZ120R045M1XKSA1
kezdő: HUF 4 620,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET, X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöl...
IXYS
IXFK100N65X2
kezdő: HUF 4 614,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFQ26N50P3
kezdő: HUF 4 612,90*
2 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...
Nexperia
BUK964R4-40B,118
kezdő: HUF 4 610,70*
5 db-ként
 
 csomag
Vishay IRFI540GPBF IGBT (1 ajánlat) 
MOSFET-ek
Vishay
IRFI540GPBF
kezdő: HUF 4 610,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 4 610,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.