![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| Kép | | | |
![](/p.gif) |
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 120 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 120 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chi... |
Infineon BSP296NH6433XTMA1 |
kezdő: HUF 222,00* db-ként |
|
|
|
Microchip Technology DN2535N3-G |
kezdő: HUF 2 492,00* 10 db-ként |
|
|
|
Microchip Technology DN2540N3-G |
kezdő: HUF 2 960,00* 10 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 102 724,02* 3 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 54,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 433,35* 5 db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 120 mA, 600 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 120 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chi... |
|
kezdő: HUF 181,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 103,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 4 137,70* 50 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 313,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 163,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 123,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 195,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 1200 V SiC (1 ajánlat) Nagy Teljesítménysűrűség Magas Hőmérséklet (175 °C) Működés Kis Induktivitású (6.7 Nh) Kialakítás Valósítja Meg Az Optimalizált Harmadik Generációs Mosfet Technológiát A Terminal Elrendezés Egyszer... |
|
kezdő: HUF 319 598,00* db-ként |
|
|
|
Infineon ISC028N04NM5ATMA1 |
kezdő: HUF 189,00* db-ként |
|