Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 127 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS3D Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 127 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = NTBGS3D Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásel...
onsemi
NTBGS3D5N06C
kezdő: HUF 972,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 127 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS3D Si (1 ajánlat) 
A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 60V-ja 127A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−csatornával. Alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel rendelkezik, és minimálisra csökkenti a vezetési veszt...
onsemi
NTBGS3D5N06C
kezdő: HUF 1 400,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 127.5 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S TrenchFET® Gen III (2 ajánlat) 
A Vishay SiSS63DN-T1-GEO3 egy P-csatornás 20 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET LeaderSHIP RDS(on) kompakt és hőfejlett csomagban 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség
Vishay
SiSS63DN-T1-GE3
kezdő: HUF 132,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 127.5 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S TrenchFET® Gen III (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 127.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET® Gen III Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...
Vishay
SiSS63DN-T1-GE3
kezdő: HUF 142,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
onsemi
FDP4D5N10C
kezdő: HUF 749 000,00*
800 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez az n-csatornás MV MOSFET az ON Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench® folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizá...
onsemi
FDP4D5N10C
kezdő: HUF 3 558,00*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220F Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
onsemi
FDPF4D5N10C
kezdő: HUF 883 285,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez az n-csatornás MV MOSFET az ON Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench® folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizá...
onsemi
FDPF4D5N10C
kezdő: HUF 2 932,60*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SISS4402DN-T1-GE3
kezdő: HUF 406,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SISS4402DN-T1-GE3
kezdő: HUF 519,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRFS3307ZTRLPBF
kezdő: HUF 544,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRFS3307ZTRLPBF
kezdő: HUF 374 153,40*
800 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRFS3307ZTRRPBF
kezdő: HUF 357 325,40*
800 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET sorozatú egyszeres N-csatornás teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) típusú tokozással integrálva.Teljesen jellemzett kapacitás és lavina SOA Továbbfejlesztett test dióda DV/dt és di...
Infineon
IRFS3307ZTRRPBF
kezdő: HUF 627,00*
db-ként
 
 db
Infineon IRF135S203 tranzisztor 100 V (2 ajánlat)
Infineon
IRF135S203
kezdő: HUF 582,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.