Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHF9540STRL-GE3
kezdő: HUF 411 556,40*
800 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHF9540STRL-GE3
kezdő: HUF 6 071,80*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...
Infineon
IRFR5410TRPBF
kezdő: HUF 193,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...
Infineon
IRFR5410TRPBF
kezdő: HUF 7 432,90*
20 db-ként
Infineon IRFR5410 tranzisztor 30 V (2 ajánlat)
Infineon
IRFR5410TRLPBF
kezdő: HUF 268,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRFR5410TRLPBF
kezdő: HUF 335,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon p csatornás MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. Ez az előny együtt a gyors kapcsolási sebes...
Infineon
AUIRFR5410TRL
kezdő: HUF 1 432 903,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
AUIRFR5410TRL
kezdő: HUF 631,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3P130SP Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = RD3P130SP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
ROHM Semiconductor
RD3P130SPTL1
kezdő: HUF 482 837,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3P130SP Egyszeres (1 ajánlat) 
Az RD3L130SP típus egy alacsony bekapcsolt állapotú ellenállással felszerelt teljesítmény MOSFET, amely kapcsolásra használható.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás. Gyors kapcsolási sebesség. A...
ROHM Semiconductor
RD3P130SPTL1
kezdő: HUF 3 240,50*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD10NF10T4
kezdő: HUF 134,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD10NF10T4
kezdő: HUF 399,30*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW13NK100Z
kezdő: HUF 2 131,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW13NK100Z
kezdő: HUF 2 513,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 220 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 511,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.