| | | | | |
| Kép | | | Minőséghitelesítő pecsét | |
|
|
|
|
|
|
nincs adat |
kezdő: HUF 753,165* 5 db-ként |
|
|
|
|
nincs adat |
kezdő: HUF 153,00* db-ként |
|
|
|
Infineon BSC027N06LS5ATMA1 |
nincs adat |
kezdő: HUF 1 093,22* 5 db-ként |
|
|
|
Infineon BSC027N06LS5ATMA1 |
nincs adat |
kezdő: HUF 222,00* db-ként |
|
|
|
Texas Instruments CSD18531Q5A |
nincs adat |
kezdő: HUF 295,00* db-ként |
|
|
|
Texas Instruments CSD18531Q5A |
nincs adat |
kezdő: HUF 1 755,90* 5 db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 135 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 135 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for... |
|
nincs adat |
kezdő: HUF 1 704,552* 2 db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 135 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat) The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and... |
|
nincs adat |
kezdő: HUF 1 465,00* db-ként |
|
|
|
|
nincs adat |
kezdő: HUF 1 093,045* 5 db-ként |
|
|
|
|
nincs adat |
kezdő: HUF 367,00* db-ként |
|
|
|
Infineon BSC037N08NS5TATMA1 |
nincs adat |
kezdő: HUF 375,00* db-ként |
|
|
|
Infineon BSC037N08NS5TATMA1 |
nincs adat |
kezdő: HUF 634,00* db-ként |
|
|
|
Infineon IPP045N10N3GXKSA1 |
nincs adat |
kezdő: HUF 420,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle... |
Infineon IPP045N10N3GXKSA1 |
nincs adat |
kezdő: HUF 676,00* db-ként |
|
|
|
|
nincs adat |
kezdő: HUF 180,00* db-ként |
|