![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Kép | | | | Megrendelés |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
kezdő: HUF 4 043,60* 10 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 787,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 031,90* 2 db-ként |
|
|
|
Infineon BSZ017NE2LS5IATMA1 |
kezdő: HUF 243,00* db-ként |
|
|
|
Infineon BSZ017NE2LS5IATMA1 |
kezdő: HUF 375,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 966 365,00* 5 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 346,00* db-ként |
|
|
|
Infineon BSC027N06LS5ATMA1 |
kezdő: HUF 1 767,79* 5 db-ként |
|
|
|
Infineon BSC027N06LS5ATMA1 |
kezdő: HUF 588,00* db-ként |
|
|
|
Texas Instruments CSD18531Q5A |
kezdő: HUF 295,00* db-ként |
|
|
|
Texas Instruments CSD18531Q5A |
kezdő: HUF 1 805,80* 5 db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 135 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 135 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for... |
|
kezdő: HUF 2 868 001,02* 3 000 db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 135 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat) The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and... |
|
kezdő: HUF 1 471,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 092 652,00* 5 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 370,00* db-ként |
|
|