Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Összehasonlító ár ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 60 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8 tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangol...
Vishay
SiR180ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 275,00*
db-ként
kezdő: HUF 275,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Vishay
SiR180ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 237,00*
db-ként
kezdő: HUF 237,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR680ADP (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = SiDR680ADP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SIDR680ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 372,666*
db-ként
kezdő: HUF 1 863,33*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR680ADP (1 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS - QG érdem szám (FOM) funkcióval rendelkezik, és a legalacsonyabb RDS - Qoss FOM értékre van hangolva.100 % RG és UIS vizsgálat TenchFET Gen...
Vishay
SIDR680ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 284,00*
db-ként
kezdő: HUF 284,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 137.5 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 80 V (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = N-Channel 80 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...
Vishay
SIR5802DP-T1-RE3
kezdő: HUF 268,283*
db-ként
kezdő: HUF 1 341,415*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 137.5 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 80 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacson...
Vishay
SIR5802DP-T1-RE3
kezdő: HUF 419,00*
db-ként
kezdő: HUF 419,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 138 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 138 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális n...
onsemi
NTMYS2D4N04CTWG
kezdő: HUF 340,00*
db-ként
kezdő: HUF 340,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 138 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...
onsemi
NTMYS2D4N04CTWG
kezdő: HUF 568,00*
db-ként
kezdő: HUF 568,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 138 A, 650 V, 3-tüskés, Max247 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STY145N65M5
kezdő: HUF 11 991,00*
db-ként
kezdő: HUF 11 991,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 138 A, 650 V, 3-tüskés, Max247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STY145N65M5
kezdő: HUF 12 165,00*
db-ként
kezdő: HUF 12 165,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 139 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB5D0N Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 139 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = NTB5D0N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
onsemi
NTB5D0N15MC
kezdő: HUF 939,00*
db-ként
kezdő: HUF 939,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 139 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB5D0N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor 150V teljesítmény MOSFET használt 139 A leeresztő áram használt egyetlen N−csatorna. Ez egy árnyékolt kapu technológiát alkalmazó Advanced Power Trench eljárással készült. Az ipa...
onsemi
NTB5D0N15MC
kezdő: HUF 1 569,00*
db-ként
kezdő: HUF 1 569,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 139 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Si (1 ajánlat) 
A ON SEMICONDUCTOR árnyékolt kapu Power Trench N-csatornás MOSFET feszültségforrás-forrás tartománya 150V, és folyamatos ürítési áramfelvétele 139A. Ez az eszköz ólommentes, halogénmentes/BFR-mente...
onsemi
NTP5D0N15MC
kezdő: HUF 768,00*
db-ként
kezdő: HUF 768,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 139 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 139 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = PowerTrench Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
NTP5D0N15MC
kezdő: HUF 952,00*
db-ként
kezdő: HUF 952,00*
db-ként
Infineon BSC022N04LS6 tranzisztor 60 V (1 ajánlat)
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1
kezdő: HUF 250,417*
db-ként
kezdő: HUF 1 252 085,00*
5 000 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   171   172   173   174   175   176   177   178   179   180   181   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.