MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (172/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRF9530NSTRLPBF

kezdő: HUF 279,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF530PBF

kezdő: HUF 161,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF530PBF

kezdő: HUF 16 059,70*
50 db-ként

Infineon IRF9530N tranzisztor 20 V (3 ajánlat)

Infineon

IRF9530NPBF

kezdő: HUF 152,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...

Infineon

IRF9530NPBF

kezdő: HUF 7 676,40*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 100 V, 8-tüskés, VSONP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = VSONP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Texas Instruments

CSD19538Q3A

kezdő: HUF 195 635,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 100 V, 8-tüskés, VSONP (1 ajánlat)

Texas Instruments

CSD19538Q3A

kezdő: HUF 91,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

ROHM Semiconductor

SCT2280KEGC11

kezdő: HUF 2 953,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT2280KEGC11

kezdő: HUF 2 794,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT2280KEHRC11

kezdő: HUF 3 463,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT2280KEHRC11

kezdő: HUF 3 939,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDD120AN15A0

kezdő: HUF 122,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDD120AN15A0

kezdő: HUF 766,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 23 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 EF (2 ajánlat)

A Vishay SIH125N60EF-T1G3 EF sorozatú, gyors testdiódával ellátott MOSFET teljesítménysorozat.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolá...

Vishay

SIHH125N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 1 031,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 23 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A, 23 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SIHH125N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 2 008,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)