MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (173/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™5 teljesítmény MOSFET-ek

Infineon

BSC009NE2LS5ATMA1

kezdő: HUF 3 498,80*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 191 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) BUK964R2 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 191 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = BUK964R2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Nexperia

BUK964R2-55B,118

kezdő: HUF 3 497,20*
5 db-ként

MOSFET, 54,9 A, 800 V, PG-TO247-3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = PG-TO247-3 Rögzítés típusa = Furatszerelt

Infineon

SPW55N80C3FKSA1

kezdő: HUF 3 496,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és a forrásellenállás 55 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási ...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7

kezdő: HUF 3 495,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFR120NTRLPBF

kezdő: HUF 3 493,80*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SUPERFET III Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SUPERFET III Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

NTH4LN040N65S3H

kezdő: HUF 3 490,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...

Diodes

DMN2040U-7

kezdő: HUF 3 483,40*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86255

kezdő: HUF 3 480,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SiC MOSFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

ST Microelectronics

SCT20N120H

kezdő: HUF 3 480,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságokka...

ST Microelectronics

SCT20N120H

kezdő: HUF 3 477,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 342 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor 60V-os teljesítmény MOSFET 342A leeresztő áram egy N−csatorna. Alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel rendelkezik, és minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket.Alacsony RDS(b...

onsemi

NTBGS001N06C

kezdő: HUF 3 473,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMZA65R039M1HXKSA1

kezdő: HUF 3 467,00*
db-ként