MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (184/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC Power SiC (1 ajánlat)

The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resista...

onsemi

NTH4L060N090SC1

kezdő: HUF 3 101,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 (2 ajánlat)

A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET a mesh DM6 gyors helyreállító dióda sorozat része. A korábbi mesh Fast generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony helyre...

ST Microelectronics

STW68N65DM6-4AG

kezdő: HUF 3 098,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC Power SiC (1 ajánlat)

onsemi

NTH4L045N065SC1

kezdő: HUF 3 095,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Gépjármű N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.TrenchFET® power MOSFET Kis hőellenállású tok

Vishay

SQD40020EL_GE3

kezdő: HUF 3 092,60*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFH60N50P3

kezdő: HUF 3 092,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 mA, 400 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Supertex N-csatornás Kimerítő mód MOSFET tranzisztorok. A Microchip által kínált N-csatornás dMOS FET tranzisztorok Supertex választéka alkalmas olyan alkalmazásokhoz, amelyek nagy bomlási feszülts...

Microchip Technology

DN2540N3-G

kezdő: HUF 3 090,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,7 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs 60 V-os P-csatornás MOSFET MOSFET-et az RDS(BE) minimalizálására és a kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartására tervezték. Ez az eszköz ideális a notebook akkumulátorainak e...

Diodes

DMP6050SPS-13

kezdő: HUF 3 087,80*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 12 V, 6-tüskés, TSOP-6 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SI3477DV-T1-GE3

kezdő: HUF 3 087,40*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH120N20P

kezdő: HUF 3 086,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,2 A, 30 V, 6-tüskés, TSOP-6 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRFTS8342TRPBF

kezdő: HUF 3 082,90*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 8-tüskés, TSDSON OptiMOS™ 5 Egyszeres (1 ajánlat)

Az Infineon 100 V-os OptiMOS™ 5 teljesítmény MOSFET-jeinek legújabb generációja kimondottan távközlési és szervertápegységek szinkron-egyenirányítására készültek. Emellett ezek az eszközök egyéb ip...

Infineon

BSZ097N10NS5ATMA1

kezdő: HUF 3 078,80*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...

onsemi

FCA47N60

kezdő: HUF 3 078,00*
db-ként

MOSFET, 7 A, 1200 V, Szalag és tekercs (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = Szalag és tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes

ST Microelectronics

STH12N120K5-2AG

kezdő: HUF 3 078,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 280 mA, 240 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

Infineon

BSP129H6906XTSA1

kezdő: HUF 3 076,70*
25 db-ként

SiC teljesítménymodul, 78 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 78 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3

Littelfuse

IXFH78N60X3

kezdő: HUF 3 074,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)