MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (189/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) N-Channel 100-V (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET teljesítmény MOSFET Maximum 175 °C csatla...

Vishay

SUM70042E-GE3

kezdő: HUF 568,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) N-Channel 100-V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = N-Channel 100-V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő...

Vishay

SUM70042E-GE3

kezdő: HUF 698,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 7-tüskés, TO-263-7L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-263-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = ...

Vishay

SUM70042M-GE3

kezdő: HUF 1 254 130,80*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 7-tüskés, TO-263-7L Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SUM70042M-GE3

kezdő: HUF 1 613,00*
db-ként

Infineon IAUT150N10S5N035 tranzisztor 55 V (1 ajánlat)

Infineon

IAUT150N10S5N035ATMA1

kezdő: HUF 510,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat)

A Infineon n csatornás MOSFET üzemi hőmérséklete 175 °C, lavinája pedig 100 százalék.RoHS-kompatibilis és AEC Q101 minősítésű

Infineon

IAUT150N10S5N035ATMA1

kezdő: HUF 749,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Infineon

ISC0802NLSATMA1

kezdő: HUF 2 112,875*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat)

Infineon

ISC0802NLSATMA1

kezdő: HUF 700,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN180N15P

kezdő: HUF 7 405,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN180N15P

kezdő: HUF 78 869,60*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 20 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az RDS (BE) funkció minimális legyen, és ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson. Ez az eszköz ideális a notebook akkumulátor energi...

Diodes

DMP2003UPS-13

kezdő: HUF 837,11*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 20 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...

Diodes

DMP2003UPS-13

kezdő: HUF 1 939,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 20 V, DirectFET IZOMETRIKUS HEXFET Szilikon (2 ajánlat)

A HEXFET® Power MOSFET szilikon technológia Infineon kialakítása a Advanced Direct FETTM csomagolással a legalacsonyabb bekapcsolt állapotú ellenállás elérése érdekében EGY OLYAN csomagban, amely A...

Infineon

IRF6620TRPBF

kezdő: HUF 1 256 849,616*
4 800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 20 V, DirectFET IZOMETRIKUS HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális nyelő forrásellenállás = 0.0036 ...

Infineon

IRF6620TRPBF

kezdő: HUF 373,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SUM90100E-GE3

kezdő: HUF 772,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)