Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
AUIRFR9024NTRL
kezdő: HUF 419,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 55 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...
Infineon
IRFU9024NPBF
kezdő: HUF 11 130,60*
75 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD3055LESM9A
kezdő: HUF 230 749,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD3055LESM9A
kezdő: HUF 94,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor
Vishay
SQD19P06-60L_GE3
kezdő: HUF 205,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor
Vishay
SQD19P06-60L_GE3
kezdő: HUF 4 122,40*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 8-tüskés, SOP (1 ajánlat) 
A ROHM teljesítmény MOSFET DFN1616-7T tokozással rendelkezik. Elsősorban kapcsolásra, DC-DC átalakítóra és akkumulátorkapcsolókra használják.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Nagy teljesítmén...
ROHM Semiconductor
RS3L110ATTB1
kezdő: HUF 992 709,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 8-tüskés, SOP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
ROHM Semiconductor
RS3L110ATTB1
kezdő: HUF 321,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCB11N60TM
kezdő: HUF 989,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCB11N60TM
kezdő: HUF 404 677,60*
800 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) FDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD13NM60ND
kezdő: HUF 3 351,355*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) FDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD13NM60ND
kezdő: HUF 3 495,20*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ CFD7 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = CoolMOS™ CFD7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
IPA60R125CFD7XKSA1
kezdő: HUF 675,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA125N60EF (2 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...
Vishay
SIHA125N60EF-GE3
kezdő: HUF 727,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA125N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Vishay
SIHA125N60EF-GE3
kezdő: HUF 741,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   191   192   193   194   195   196   197   198   199   200   201   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.