MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (195/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 45 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növek...

ROHM Semiconductor

RD3H160SPTL1

kezdő: HUF 229,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 45 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

RD3H160SPTL1

kezdő: HUF 165,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MegaFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. A MegaFET folyamat, amely az LSI integrált áramköreihez hasonló méretű jellemzőket használ, optimális szilíciumkihasználást eredményez, és kiemelkedő teljes...

onsemi

RFD16N05LSM9A

kezdő: HUF 121,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MegaFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD16N05LSM9A

kezdő: HUF 119,68*
db-ként

kezdő: HUF 598,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH16N50P

kezdő: HUF 1 148,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH16N50P

kezdő: HUF 1 576,84334*
db-ként

kezdő: HUF 47 305,3002*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFH16N50P3

kezdő: HUF 1 360,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 560 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C3 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

Infineon

SPW16N50C3FKSA1

kezdő: HUF 513,21334*
db-ként

kezdő: HUF 15 396,4002*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 560 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

Infineon

SPW16N50C3FKSA1

kezdő: HUF 540,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB16NF06LT4

kezdő: HUF 237,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB16NF06LT4

kezdő: HUF 287,80*
db-ként

kezdő: HUF 1 439,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

RFD16N06LESM9A

kezdő: HUF 286,00*
db-ként