MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (203/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB LogicFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRL530NPBF

kezdő: HUF 328,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB LogicFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRL530NPBF

kezdő: HUF 153,00*
db-ként

Infineon IRLU3410 tranzisztor 40 V (3 ajánlat)

Infineon

IRLU3410PBF

kezdő: HUF 130,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-251AA HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-251AA Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...

Infineon

IRLU3410PBF

kezdő: HUF 199,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS8622

kezdő: HUF 177,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS8622

kezdő: HUF 183,68*
db-ként

kezdő: HUF 918,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SI4190BDY-T1-GE3

kezdő: HUF 523,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SI4190BDY-T1-GE3

kezdő: HUF 672,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő ...

ROHM Semiconductor

SCT3160KW7TL

kezdő: HUF 2 671,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat)

A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...

ROHM Semiconductor

SCT3160KW7TL

kezdő: HUF 2 262,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = ...

ROHM Semiconductor

SCT3160KW7HRTL

kezdő: HUF 1 872,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7L SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3160KW7HRTL

kezdő: HUF 1 476,00*
db-ként

Infineon IRFB4019 tranzisztor 150 V (3 ajánlat)

Infineon

IRFB4019PBF

kezdő: HUF 285,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Digitális MOSFET, Infineon. A D osztályú erősítők gyorsan a professzionális és otthoni audio- és videorendszerek számára ajánlott megoldássá válnak. Az Infineon átfogó termékkínálattal rendelkezik,...

Infineon

IRFB4019PBF

kezdő: HUF 368,66*
db-ként

kezdő: HUF 1 843,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRL640SPBF

kezdő: HUF 354,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)